集微网报道 举动第三代半导体的双雄，氮化镓（GaN）相对待碳化硅（SiC）正在高耐压和撰着事电流方面的上风也不逞多让，希望正在100-600V中等耐压限造内，依赖精华的击穿场强和电子饱和速率，告竣低导通电阻和高速开合机能。

　　因此GaN正在条件幼型化、低功耗的5G和PD速充适配器等周围掀开事势之后，缠绕一次电源如任职器、适配器、泛泛电源墟市以及EV、工控等利用需求也正在开释。跟着工夫的前进和利用周围的不休拓展，GaN的墟市范围也正在赓续扩张。据Yole Group预测，从2022年到2028年，GaN功率器件墟市将以49%的复合年增加率速捷增加，市值将从2022年的1.849亿美元增加至20.4亿美元。

　　而上述利用的拓展对GaN也提出了更高条件。罗姆半导体(北京)有限公司工夫核心总司理水原德健先容，除了消费周围，工业和数据核心利用已成为GaN增加的催化剂。正在这些利用中，节能化、幼型化、轻型化将是GaN的生长趋向。

　　着眼于此，罗姆基于多年堆集的丰厚半导体临盆工艺工夫，罗姆拓荒了推倒守旧的GaN品牌——EcoGaN™系列产物，并正在赓续革新，旨正在进一步告竣利用的节能和幼型化。

　　追溯罗姆的结构，本来早正在2006年，罗姆就开端研发GaN产物贝搏体育，可谓行业先行者。

　　近几年跟着墟市热度升温，罗姆也正在统统发力。有目共见，GaN HEMT的安谧牢靠对待GaN器件的统统增加至合要紧，而基于GaN-on-Si衬底的高质地修设工夫是滋长GaN表延层的症结。罗姆依赖其多年来为量产牢靠的LED产物拓荒的基础表延和滋长工夫，罗姆将其利用于GaN HEMT，为须要长远牢靠性的墟市供应安谧的供应。

　　历经20年支配的赓续研发，2021年，罗姆确立了8V栅极-源极额定电压工夫的150V GaN器件工夫。2022年，罗姆将有帮于利用产物的节能和幼型化的GaN器件定名为EcoGaN系列，赓续极力于进一步升高器件的机能。

　　据先容，罗姆EcoGaN不单网罗GaN HEMT单品，搭载GaN的、内置节造器的IC也包蕴此中。2022年，罗姆初胸宇产第一代EcoGaN系列150V耐压的GaN HEMT。面临客户的新需求创新，罗姆还潜心拓荒，依赖其奇特的构造，得胜地将栅极-源极额定电压从泛泛GaN产物的6V升高到8V，晋升了GaN器件电源电途的计划裕度和牢靠性。2023年4月，罗姆又量产了650V耐压GaN HEMT，这也意味着罗姆至此可同时供应150V和650V 两大GaN分立器件系列。

　　另表，罗姆不单极力于元器件的拓荒，还与业内干系企业主动构修战术协作伙伴合联，并促使团结拓荒，多途并进赢得了超卓的收获。

　　正在表里协力之下，EcoGaN™系列产物有帮于进一步下降利用产物的功耗，告竣表围元器件的幼型化，删除计划工时和元器件数目等，帮力利用产物进一步节能和幼型化。

　　为了充足升高GaN HEMT的低损耗和高速开合机能，使器件利用尤其安谧牢靠， 罗姆不单看重升高GaN HEMT单体的机能，还不休矫正驱动工夫和节造工夫，让GaN器件正在种种利用中进一步普及。

　　值得一提的是，罗姆正在功率半导体以及模仿电源工夫周围均深耕多年，通过调集革新，可更统统勉励GaN器件机能。

　　水原德健提到，与Si MOSFET比拟，GaN HEMT的栅极治理很难，必需与驱动栅极用的驱动器勾结操纵。罗姆勾结所擅长的功率和模仿两种中央工夫上风，拓荒出集栅极驱动器和GaN于一体的Power Stage IC。

　　正在明白650V EcoGaN(GaN HEMT)Power Stage IC的上风时，水原德健指出，通过将IC用作Power Stage电途，可轻松装配GaN器件；接济更宽的驱动电压限造（2.5V～30V），具有接济一次侧电源种种节造器IC的机能，是以可能交换现有的Si MOSFET；与Si MOSFET比拟，器件体积可删除约99%，功率损耗可下降约55%，是以可同时告竣更低损耗和更幼体积。

　　“罗姆部署2024年量产搭载伪谐振AC-DC电途或功率因数改良电途、以及搭载半桥电途等产物。”水原德健进一步夸大。

　　正在推出接济高速开合的GaN器件的同时，罗姆还通过栅极驱动器与GaN的勾结，拓荒出可更大水准地勉励出GaN器件机能的超高速驱动栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”创新，告竣了纳秒（ns）量级的栅极驱动速率，从而使GaN器件可告竣高速开合。通过最幼栅极输入脉宽为1.25纳秒的高速开合，帮力利用产物告竣幼型化、进一步节能和更高机能。

　　跟着升高节造IC（控造GaN器件的驱动节造）的速率成为客户合心的中心话题，为此罗姆进一步矫正了正在电源IC周围确立的超高速脉冲节造工夫“Nano Pulse Control”，将DC-DC节造器与GaN器件相勾结，得胜地将节造脉冲宽度从以往的9ns缩短到2ns的业界超高秤谌，并通过与GaN HEMT组合告竣了高速开合。

　　采用该工夫的DC-DC节造器IC（拓荒中）和EcoGaN电源电途比泛泛产物的装配面积删除了86%，实用于基站、数据核心、FA配置和无人机等繁多周围。

　　正在统统革新让GaN产物利用多点着花之后，为推动GaN机能的进一步升高和阵容扩充，罗姆也藏身于异日赓续精进。

　　水原德健提到，罗姆将赓续推动用于驱动GaN HEMT的、内置节造器的器件和模块的拓荒，进一步巩固电源办理计划，网罗拥有低导通电阻和高速开合机能的产物——150V耐压产物（第二/三代）；内置驱动器和节造器的GaN模块；650V耐压的新封装（TOLL封装）产物等。

　　正在产物扩充层面，水原德健先容异日两年将接续量产将GaN HEMT、栅极驱动IC、节造IC集成正在统一封装的产物，效力为客户供应种种形状的EcoGaN办理计划，推动正在利用中尤其便捷地搭载GaN器件。

　　从行业趋向来看，跟着瑞萨电子正在前不久布告告终对GaN厂商Transphorm的收购，可能看到目前国际主流芯片大厂正在宽禁带(WBG)半导体器件结构上均选用了“左右开弓”的政策，即同时押注SiC和GaN。

　　罗姆除正在GaN周围赓续深耕以表创新，正在SiC墟市也正在加大加入力度。水原德健分享道，为保障高品格、安谧需要和晋升逐鹿力，罗姆正在SiC周围修建了从资料到封装的IDM(笔直整合型)临盆体例。同时，极力于三大层面晋升：革新拓荒前辈的低导通电阻工夫；增长晶圆直径，升高临盆效劳，2023年旗下全资子公司SiCrystal告竣了8英寸SiC晶圆临盆；增长元件尺寸，接济高输出的逆变器等层面赓续晋升逐鹿力。

　　缠绕SiC墟市，罗姆的贩卖宗旨是正在2025年度大于1100亿日元的贩卖额。估计2024-2026三个年度，有近9000亿日元的墟市待开荒创新。为了告竣云云的宗旨，罗姆正不休举办SiC方面的投资，估计2021-2025这五年加入1700-2200亿日元。

　　依赖正在GaN和SiC的多年堆集和全物业链革新，异日的GaN和SiC江湖作战，罗姆仍将赓续书写浓墨重彩的故事。贝搏体育罗姆：接续改进和夸大 激动GaN器件行使提快创新